【方正机械】HBM专题：AI巨轮滚滚而来，哪些设备会受益于算力基础HBM？

核心观点

HBM基本介绍：HBM（High Bandwidth Memory,高带宽存储）由DRAM芯片堆叠而来，可有效缓解内存墙问题，优异性能适配AI时代的算力需求。

HBM市场情况：目前HBM已经迭代至第五代（HBM3E），预计今年上半年SK海力士、三星和镁光均可以实现HBM3E的量产出货。TrendForce集邦咨询预计今年开始HBM3将成为市场主流产品，从格局上看，入局较早的SK 海力士和三星几乎瓜分HBM市场,预计24年末 HBM TSV的产能为25万片/月。

HBM核心工艺及所用设备：HBM的良率比相同制程、相同容量的GDDR5低20-30%，核心在于堆叠，而堆叠的核心在于TSV和键合。

TSV的制备与前段工艺类似，需要经过光刻、刻蚀、沉积、电镀和CMP等工艺，其中，难度较大的工艺为电镀铜。

键合技术可以分为有微凸块的键合技术和无微凸块的混合键合技术，目前量产工艺均使用前者，但是SK 海力士和三星的技术路线存在差异，前者由TC-NCF转向MR-MUF，三星则一直使用TC-NCF,二者各有优劣势。混合键合是大厂布局的下一代键合技术，可以通过去掉芯片之间的填充材料而有效降低芯片厚度，其可以分为W2W和D2W，前者因为生产效率高等优势而商业化程度比较高，后者至今只有AMD某款芯片一个应用场景，可以减少浪费。

除此之外，抛光减薄、临时键合/解键合工艺也起到了重要的辅助作用。

在测试方面，因为结构复杂，HBM对存储测试机提出了更高的要求。

HBM对设备的增量需求对前道设备而言，HBM会带动前道制造设备的需求，但是相对有限，后道的封测设备则存在量价齐升的逻辑，另外，若未来混合键合技术得以应用，混合键合设备市场规模将会有明显扩容。

建议关注：前道制造环节：北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、盛美上海、华海清科、精测电子等；封测环节：长川科技、精智达、盛美上海、华封科技（未上市）、光力科技、华海清科、拓荆科技、芯源微等。

风险提示：新技术开发/量产进度不及预期风险、设备厂商的相关设备验证进展不及预期风险、地缘政治风险等。

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