【方正电子】存储专题跟踪：HBM引领AI存力扩容，产品切换加剧产能紧缺！

核心观点

存储产品价格持续上涨。现货价格来看，NandFlashWafer价格持续上扬。DRAM价格同样全线上涨，我们预计随着AI等领域对高性能计算的需求，DDR5产品有望迎来量价齐升。合约价来看，TrendForce预计24Q2NANDFlash合约价格将大幅上涨13%-18%，其中企业级SSD涨幅最高，达20-25%。

DRAMQ2合约价预计季增3-8%。4月3日中国台湾花莲海域地震，从FAB厂分布来看，除台积电、联电两大Foundry外，中国台湾FAB产能主要为存储，其中包括美光DRAM的主要产能，以及南亚、华邦、旺宏三家利基型存储的产能，后续或面临产线检修影响。结合近期三星上调企业级SSD涨幅，24Q1利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。

AI加速存力扩容，产品切换加剧产能紧缺。站在当前时点对比上一轮周期，技术端来看，AI服务器需求快速增长，由此带动HBM加速迭代，数据中心SSD及DRAM也在持续升级，由此满足新一代数据中心及智能设备终端的产品需求。需求端来看，HBM产能已排至2025年，服务器、PC、智能手机仍处于AI全面渗透的早期阶段，AIPhone、AIPC都将在2024~2025年开启放量，由此在未来几年全面带动各大应用领域的存储容量加速扩张。从供给端来看，原厂处于产能切换的关键期，DRAM产能从DDR4向DDR5切换，将造成产能自然消耗30%，而HBM晶圆产能消耗是DDR5的3倍，将进一步加剧存储产能紧缺。原厂谨慎规划资本开支，24年新增资本开支主要用于高端产品产能扩张。产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储价格持续上行。

HBM供不应求，三大原厂竞逐HBM3E。SK海力士预计中长期内HBM需求的年增长率将达到约60%，三星预测2026年HBM出货量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。尽管SK海力士、三星电子和美光科技均在积极扩产，但HBM供应依旧紧张。SK海力士表示2024年HBM产能已售罄，美光也表示2024年HBM产能已全部售罄，且2025年大部分产能也已分配完。同时三大家也正在推进HBM3E及最新产品的测试及量产。SK海力士当前HBM3E已实现量产，预计HBM长期需求增长率超60%，同时公司已携手台积电，合作开发HBM4。美光宣布已开始量产HBM3E，并于2024Q2开始出货。三星已开始向客户提供HBM3E12H样品，预计24H2开始大规模量产。

大厂产能切换逐步退出利基市场，利基存储价格拐点已至。

投资建议：见尾页投资建议章节。

风险提示：下游需求不及预期，研发进度不及预期，行业竞争加剧。

正文如下